教育部信息领域重点实验室评估，10个优秀西电占了两个

宽禁带半导体材料教育部重点实验室于2004年立项建设，继2011年评估“优秀”，本轮评估再获佳绩。重点实验室主要从事宽禁带半导体材料生长方法与技术、器件与应用以及新型半导体器件与集成电路技术等领域的研究。在本评估期内取得了国家科技进步奖二等奖2项，发表SCI和EI论文430余篇，授权发明专利近300项，其中美国发明专利2项，且实验室在学校东大楼一楼改造出一条面积1076平米的科研超净工艺线，有力的支持了重点实验室的科研发展。目前，该重点实验室已成为我国最为重要的宽禁带半导体专门研究机构。

电子装备结构设计教育部重点实验室于2005年立项建设。该重点实验室针对电子装备研制过程中机电耦合、精密控制以及优化设计等关键理论与技术问题，开展了基础、应用基础以及成果转化等创新研究工作。在评估期内，重点实验室获得国家科技进步二等奖1项、国家技术发明二等奖1项，发表SCI论文两百余篇、ESI高被引论文10篇，授权发明专利一百余项，研究成果成功应用于FAST和“天通一号”等重大工程应用中。

智能感知与图像理解教育部重点实验室于2007年立项建设，该重点实验室以智能感知与计算、图像理解与目标识别、深度学习与类脑计算的理论关键技术及其应用为主要研究方向。在评估期内，重点实验室获科技奖励14项，其中国家自然科学奖二等奖1项，省部级一等奖5项；获教学成果奖2项，发表国际学术论文630余篇，SCI检索580余篇，SCI他引近4600次，完成英文科技专著1部，参与制定行业标准1项，获国家发明专利460余项。

（来源  西电新闻网 通讯员  童浪）