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浦江头条

院士刘明:随着后摩尔时代的到来,中国自主创新将迎新机遇

澎湃新闻记者 周航

2019-05-26 20:12  来源:澎湃新闻

中科院院士刘明。主办方供图
中科院院士刘明认为,当前中国芯片技术与国外差距大,且很难追赶,必须夯实基础,没有弯道可走。随着后摩尔时代的到来,中国自主创新将迎来新机遇。
刘明是中科院微电子器件与集成技术重点实验室主任、中科大国家示范性微电子学院院长。5月26日,她在浦江创新论坛“新一代集成电路技术”分论坛上分享了上述观点。
摩尔定律是英特尔联合创始人戈登·摩尔1965年观察到的趋势——每隔18至24个月,集成电路上可容纳的元器件的数量就会增加一倍,性能也将提升一倍。
换句话说,芯片工艺制程的换代速度是一年半到两年时间。这种趋势已经持续超过半个世纪。不过,随着芯片制造逼近物理极限,芯片换代速度开始放缓,摩尔定律"逐渐失效"了。
刘明称,目前国际上集成电路制造工艺已进入7nm技术节点。国内集成电路大规模制造技术进入28nm量产,14nm试产阶段。差距最大的光刻环节,中国与国外差距15年至20年。
她认为,器件持续微缩的延伸摩尔定律(More Moore)路线,中国很难超越,但这是创新的基础,必须夯实,没有弯道可走。
那么,尺寸微缩会在哪个节点结束?刘明认为,这将由性能、功耗、成本三个因素决定。
她还判断,后摩尔时代,新型计算和物联网等应用会成为集成电路发展的驱动力,集成电路发展路线将呈现多样化。
她认为,在后摩尔时代,新器件以及三维集成技术将对芯片技术和格局产生颠覆性影响,这也是中国自主创新的良好机遇。
“再强调一遍,我们必须夯实基础,否则所谓的创新,都不能转化成生产效益。”刘明说。
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责任编辑:臧鸣
校对:栾梦
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