院士刘明：随着后摩尔时代的到来，中国自主创新将迎新机遇

中科院院士刘明认为，当前中国芯片技术与国外差距大，且很难追赶，必须夯实基础，没有弯道可走。随着后摩尔时代的到来，中国自主创新将迎来新机遇。

刘明是中科院微电子器件与集成技术重点实验室主任、中科大国家示范性微电子学院院长。5月26日，她在浦江创新论坛“新一代集成电路技术”分论坛上分享了上述观点。

摩尔定律是英特尔联合创始人戈登·摩尔1965年观察到的趋势——每隔18至24个月，集成电路上可容纳的元器件的数量就会增加一倍，性能也将提升一倍。

换句话说，芯片工艺制程的换代速度是一年半到两年时间。这种趋势已经持续超过半个世纪。不过，随着芯片制造逼近物理极限，芯片换代速度开始放缓，摩尔定律"逐渐失效"了。

刘明称，目前国际上集成电路制造工艺已进入7nm技术节点。国内集成电路大规模制造技术进入28nm量产，14nm试产阶段。差距最大的光刻环节，中国与国外差距15年至20年。

她认为，器件持续微缩的延伸摩尔定律（More Moore）路线，中国很难超越，但这是创新的基础，必须夯实，没有弯道可走。

那么，尺寸微缩会在哪个节点结束？刘明认为，这将由性能、功耗、成本三个因素决定。

她还判断，后摩尔时代，新型计算和物联网等应用会成为集成电路发展的驱动力，集成电路发展路线将呈现多样化。

她认为，在后摩尔时代，新器件以及三维集成技术将对芯片技术和格局产生颠覆性影响，这也是中国自主创新的良好机遇。

“再强调一遍，我们必须夯实基础，否则所谓的创新，都不能转化成生产效益。”刘明说。