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澜起科技内存缓冲控制器芯片设计技术获上海技术发明一等奖

澎湃新闻记者 周玲

2019-05-15 16:27  来源:澎湃新闻

5月15日,澜起科技的“高性能DDR内存缓冲控制器芯片设计技术”获得上海技术发明一等奖。
5月15日上午,上海市科委召开2018年度上海市科学技术奖励大会,隆重表彰为上海科技创新事业和经济社会发展作出突出贡献的科技工作者。澜起科技股份有限公司(澜起科技)的“高性能DDR内存缓冲控制器芯片设计技术”被表彰。
澜起DDR系列内存接口芯片设计技术的主要完成人包括11人,分别是杨崇和、山岗、王勇、严钢、马青江、张鹏展、蒋逸波、钟宇、李建威、李毅、李春一。这11人中,杨崇和系澜起董事长兼首席执行官,是项目的总体负责人,也是项目的第一完成人。
据公开信息显示:澜起科技研发的内存接口芯片,为CPU与内存间的数据交换搭建了一条“高速公路”,提高了内存数据读写带宽,改善了服务器性能。
据了解,过去20多年,由于芯片的摩尔定律,CPU性能以每年60%的增速提升,但内存性能增速每年只有7%,两者间的性能差距越来越大,严重制约了服务器系统整体性能的提升。
内存接口芯片是服务器内存模组(又称“内存条”)的核心逻辑器件,作为服务器CPU存取内存数据的必由通路,其主要作用是提升内存数据访问的速度及稳定性,满足服务器CPU对内存模组日益增长的高性能及大容量需求。内存接口芯片需与内存厂商生产的各种内存颗粒和内存模组进行配套,并通过服务器CPU、内存和OEM厂商针对其功能和性能(如稳定性、运行速度和功耗等)的全方位严格认证,才能进入大规模商用阶段。因此,研发此类产品不仅要攻克内存接口的核心技术难关,还要跨越服务器生态系统的高准入门槛。
澜起科技从成立至今一直从事内存接口芯片的设计研发。此次获奖项目有三大技术发明点。其一是发明了“1+9”分布式缓冲内存子系统架构,降低信号传输损耗,解决了内存系统大容量与高速度之前的矛盾。第二,高速电路设计,发明了一种高速、低抖动电路及内存接口算法,解决了多点通讯、突发模式下内存总线的信号完整性问题。第三,低功耗设计,发明了一种自适应电源管理电路,并采用动态时钟分配等低功耗技术,降低芯片功耗。
澜起科技DDR系列内存接口芯片技术具有完全自主知识产权 (国际行业标准2项,项目授权发明专利40项,其中美国专利23项)。
据了解,澜起是全球除了两家美国公司(IDT和 Rambus)外,唯一能研发和销售项目芯片的公司,填补了国内企业在该领域无“芯”的空白。 
凭借其长期的技术积累,澜起科技已成为全球可提供从DDR2到DDR4内存全缓冲/半缓冲完整解决方案的主要供应商之一。目前芯片面向全球市场,主要客户为世界知名的内存厂商、服务器厂商等国际一流品牌商,并且保持良好的生态关系,2018年全球市场占有率接近50%,处于领先地位。
澜起科技称,公司未来三年的发展目标是通过持续不断研发创新,提升公司在细分行业的市场地位和影响力。其中,在内存接口芯片业务领域,巩固公司的市场领先地位,在未来三年完成第一代DDR5内存接口芯片的研发和产业化;在数据中心业务领域,持续升级津逮®服务器CPU及其平台,为数据中心提供高性能、高安全、高可靠性的CPU、内存模组等产品,持续提升市场份额;在人工智能芯片领域,公司将聚焦客户需求,挖掘潜在商机,研发有竞争力的芯片解决方案,为公司的可持续发展提供新的业务增长点。
今年4月1日,澜起科技股份有限公司(澜起科技)在科创板上市的申请正式获得上海证券交易所受理。
澜起科技招股书显示:2017年公司营业收入12.28亿元,同比增长45.3%;2018年营业收入则同比增长43.2%至17.58亿元。
2016年至2018年,公司分别实现净利润9280.43万元、3.47亿元、7.37亿元,后两年的同比增幅分别高达273.8%和112.4%。
澜起科技是一家业界领先的集成电路设计公司,成立于2004年。澜起科技总部设在上海并在昆山、澳门、美国硅谷和韩国首尔设有分支机构。
责任编辑:王杰
图片编辑:胡梦埼
澎湃新闻,未经授权不得转载。新闻报料:4009-20-4009
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